Растровая электронная микроскопия и энергодисперсионная рентгеновская спектроскопия

Технологическая группа "ИНСОЛТ" предлагает электронно-микроскопические исследования и энергодисперсионную рентгеновскую спектроскопию поверхности образцов с высоким разрешением на современном сканирующем растровом электронном микроскопе Inspect S50 с приставкой энергодисперсионного анализа EDAX*. Проводим анализ распределения поверхностных образований методом визуального статистического анализа.

Применение

Практический успех в развитии и применении нанотехнологической продукции не в последнюю очередь связан с возможностью исследования свойств объектов имеющих размеры, сопоставимые с нанометровым диапазоном. Подразумевается, что не обязательно объект должен обладать хоть одним линейным размером менее 100 нм — это могут быть макрообъекты, атомарная структура которых контролируемо создается с разрешением на уровне нанообъектов. В этом отношении современная Растровая электронная микроскопия (РЭМ) позволяет исследовать такие объекты в широком диапазоне увеличений, значительно превышая предел увеличения лучших оптических микроскопов. Возможности растровой электронной микроскопии используются практически во всех областях науки и промышленности, от биологии до наук о материалах. РЭМ, оснащаемая различными детекторами, позволяет отобрать и проанализировать не только свойства поверхности образца, но и визуализировать информацию о свойствах поверхности. Для получения информации о структуре поверхности используются вторичные (режим ETD) и/или отражённые (режим vCD) (обратно-рассеянные) электроны. Контраст во вторичных электронах сильнее всего зависит от рельефа поверхности, тогда как отражённые электроны несут информацию о распределении электронной плотности (области, обогащённые элементом с бо́льшим атомным номером выглядят ярче). Поэтому обратно-рассеянные электроны, которые генерируются одновременно со вторичными, кроме информации о морфологии поверхности содержат дополнительную информацию и о составе образца. Облучение образца пучком электронов приводит не только к образованию вторичных и отражённых электронов, а также вызывает испускание характеристического рентгеновского излучения. Анализ этого излучения позволяет определить элементный состав микрообъёма образца (разрешение для массивных образцов обычно не лучше 1 мкм).

Характеристики микроскопа

  • Разрешение в режиме высокого вакуума при ускоряющем напряжении 30 кВ в режиме ETD: не более 3,0 нм
  • Разрешение в режиме низкого вакуума при ускоряющем напряжении 30 кВ в режиме ETD: не более 3,0 нм
  • Разрешение в режиме высокого вакуума при ускоряющем напряжении 30 кВ в режиме vCD: не более 4,0 нм
  • Разрешение в режиме низкого вакуума при ускоряющем напряжении 30 кВ в режиме vCD: не более 4,0 нм
  • Функция замедления электронного пучка, интегрированная приложением напряжения смещения к образцу
  • Напряжение смещения в функции замедления электронного пучка от 50В до -4кВ
  • Выдвижной высококонтрастный детектор обратно-отраженных электронов, совместимый с режимом торможения пучка
  • Система энергодисперсионного анализа EDAX (AMETEK, США)
  • Детектор системы энергодисперсионного анализа: кремниевый, дрейфовый, безазотный
  • Энергетическое разрешение по К-альфа линии марганца: не более 131 эВ
  • Качественное детектирование элементов, начиная с бериллия (Be)
  • Количественное детектирование элементов, начиная с бора (B)
  • Комплекс программного обеспечения для элементного анализа в точке, по линии, для элементного картирования, а также с использованием стандартов чистых элементов, сложных материалов, частичных стандартов исследуемого образца
  • Столик позиционирования образцов эвцентрический, гониометрический с автоматизированным перемещением

* исследования элементного состава временно не проводятся

Кластеры Ni, напыленные на пористый Al2O3 Пористый Al2O3 Статистический анализ образований Энергодисперсионный рентгеновский спектр